）日前，国家天然科学基金委工程与资料科学部安排专家，在武汉对我校刘胜教授掌管的国家严重科研仪器研发项目（部分引荐）“薄膜成长缺点跨时空标准原位/实时监测与调控试验设备”，进行了断题检验。

  项目检验技能组、财政组专家，监理组专家，国家天然科学基金委党组成员、副主任陆建华院士，工程与资料科学部常务副主任王岐东，湖北省科技厅副厅长杜耘，校长张平文院士、副校长唐其柱等到会，王岐东掌管结题检验会议。

  陆建华线上致辞。他指出，高端芯片制作是咱们国家科技快速地展开的瓶颈，而薄膜成长则是高端芯片制作及集成电路范畴的根底。仪器研讨项目需求杰出研讨原创性和科学价值，处理科学问题，协助科学家处理根底科学问题。期望项目组专家在检验过程中，严厉对照项目立项时的各项指进行标逐个核对，一同协助天然基金委一同探究仪器项目建造的新办法新机制。他着重，项目结题不代表项目完毕，而是新的起点，期望项目负责人及研发人员从始至终坚持永久在一线、永久在状况、永久在学习，紧记严重仪器项目的科学任务，抢占世界科学展开的制高点。

  王岐东指出，该项目非常前沿、技能攻关难度较高。他充沛肯定了项目依托单位及合作单位从立项、施行、再到结题检验过程中所作的尽力和阶段性奉献，期望专家组专家脚踏实地，以高度负责的情绪，从技能、档案、财政各方面依照项目检验方针逐个核对检验，并提出主张性定见和主张。

  张平文代表项目建筑设计企业致辞。他指出，该项目是武汉大学甚至华中地区高校初次获得的国家严重科研仪器研发项目，武汉大学倍感责任严重，任务荣耀。他充沛肯定了刘胜教授及其科研团队在项目履行过程中支付的艰苦尽力和获得的效果，介绍了武汉大学从经费、场所、人才引入、研讨生培育及项目落地推行等方面供给的支撑，并表明将自始自终支撑项目的后续攻关和落地转化。

  项目负责人刘胜教授从立项布景、设备研发开展状况、要害模块研讨开展等方面汇报了项目整体研讨效果。

  项目检验专家组仔细审理了断题检验资料，听取了项目组关于仪器研发的开展和效果总结、项目监理组的监理状况汇报以及现场技能测验、财政检验和档案审阅状况汇报，并对仪器设备进行了现场调查。经充沛评论和质询，专家组以为，项目组依照项目任务书完成了相关研讨工作，项目任务书所列的仪器各项技能方针均已完成，其间部分要害技能方针优于预期方针，项目经费支出标准合规，安排办理标准，都赞同项目经过结题检验，成果点评为A。

  据悉，国家严重科研仪器研发项目（部分引荐）“薄膜成长缺点跨时空标准原位/实时监测与调控试验设备”于2017年获批立项，历时5年多协同展开要害技能攻关。该设备的成功研发，推动了我国宽禁带半导体资料异质异构集成等范畴核心技能的展开，为完成高端半导体配备与资料自主化制作奠定了坚实的根底，在我国半导体范畴“卡脖子”要害技能方面获得了原创性打破。