CINNO Research产业资讯，大日本印刷与铠侠控股（KIOXIA原东芝存储器控股）和佳能合作，共同研发了「纳米压印光刻技术（NIL）」用于半导体制造，与使用极紫外光刻（EUV）相比，功耗仅为十分之一。尽管NIL在实现量产之前还存在诸多课题，但它已经能够形成最先进的电路线宽度。在产业界去碳化发展的新趋势慢慢地加强的背景下，三家公司的方针旨在通过减少电力消耗而实现与其它公司差异化的同时，努力促进该技术迈向实用化。

  NIL技术通过将芯片压印在晶圆上而形成精细的电路图案。据大日本印刷称，在研发技术中NIL已能处理高达5nm的电路线宽。虽然在实际大规模生产之前还有如电路缺陷等许多问题是需要解决，但三家公司的最终目标是确立大规模生产技术。

  NIL的制造工艺简洁，不存在EUV那种消耗大量电力的问题。大日本印刷在2021年春季根据设备的规格值进行了一次内部模拟。通过模拟测试发现，在形成电路过程中每个晶圆的功耗仅为使用EUV光刻的十分之一左右。

  在力求工业生产过程中削减温室气体排放的大趋势下，为实现碳中和社会，预计半导体制造业对NIL的需求将会增加。三家公司将吸引那些致力于减少制作的完整过程功耗的半导体制造商和用户。

  目前，铠侠公司主力产品的NAND闪存研发技术是主流的堆叠式（3D），而微缩化的进展并未达到逻辑半导体的水平。用于输入输出数据的外围电路的微缩化是NAND的一个中长期课题。铠侠已确立了15nm的大规模生产技术。为进一步实现EUV光刻和NIL的微缩化发展，铠侠始终走在研发创新的路上。

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